Технічний опис APTGT50DH60T1G MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: IGBT MODULE 600V 80A 176W SP1, Packaging: Bulk, Package / Case: SP1, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Asymmetrical Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: SP1, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 176 W, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.15 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APTGT50DH60T1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APTGT50DH60T1G | Виробник : Microchip Technology |
 Trans IGBT Module N-CH 600V 80A 176000mW 10-Pin Case SP-1 Tube |
товару немає в наявності |
|
| APTGT50DH60T1G | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT MODULE 600V 80A 176W SP1 Packaging: Bulk Package / Case: SP1 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Asymmetrical Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: SP1 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 176 W Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.15 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
||
| APTGT50DH60T1G | Виробник : Microchip Technology |
IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SP1 |
товару немає в наявності |