Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > APTM120A29FTG

APTM120A29FTG Microchip Technology

Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 34A 20-Pin Case SP-4 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис APTM120A29FTG Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 25A; SP4; Idm: 136A; 780W, On-state resistance: 348mΩ, Drain current: 25A, Drain-source voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: transistor/transistor, Power dissipation: 780W, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Case: SP4, Technology: FREDFET; POWER MOS 7®, Gate-source voltage: ±30V, Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor, Pulsed drain current: 136A, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APTM120A29FTG

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
APTM120A29FTG	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 25A; SP4; Idm: 136A; 780W On-state resistance: 348mΩ Drain current: 25A Drain-source voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Power dissipation: 780W Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Case: SP4 Technology: FREDFET; POWER MOS 7® Gate-source voltage: ±30V Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor Pulsed drain current: 136A Type of semiconductor module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTM120A29FTG	Виробник : Microchip Technology	Description: MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTM120A29FTG	Виробник : Microchip Technology	Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-FREDFET-7-SP4	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTM120A29FTG	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 25A; SP4; Idm: 136A; 780W On-state resistance: 348mΩ Drain current: 25A Drain-source voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Power dissipation: 780W Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Case: SP4 Technology: FREDFET; POWER MOS 7® Gate-source voltage: ±30V Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor Pulsed drain current: 136A Type of semiconductor module: MOSFET transistor	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.