на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.37 грн |
| 10+ | 48.95 грн |
| 100+ | 36.99 грн |
| 1500+ | 21.43 грн |
| 3000+ | 20.48 грн |
| 9000+ | 19.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AS4PK-M3/86A Vishay General Semiconductor
Description: DIODE AVALANCHE 800V 2.4A TO277A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs, Technology: Avalanche, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2.4A, Supplier Device Package: TO-277A (SMPC), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 962 mV @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V.
Інші пропозиції AS4PK-M3/86A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AS4PK-M3/86A | Виробник : Vishay |
 Diode Switching 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SMPC T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
AS4PK-M3/86A | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 800V 2.4A TO277A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2.4A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 962 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
товару немає в наявності |