AS6C1016-55BIN ALLIANCE MEMORY


AS6C1016.PDF Alliance_Selection_Guide _Print2025.pdf Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
Operating voltage: 2.7...5.5V
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 480 шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AS6C1016-55BIN ALLIANCE MEMORY

Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48TFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 48-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 1Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8), Write Cycle Time - Word, Page: 55ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 55 ns, Memory Organization: 64K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції AS6C1016-55BIN

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AS6C1016-55BIN AS6C1016-55BIN Виробник : Alliance Memory, Inc. AS6C1016.pdf Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 64K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS6C1016-55BIN AS6C1016-55BIN Виробник : Alliance Memory AS6C1016%20rev%201.5%20September%202015-1288465.pdf SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 64K x 8 Asynch SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS6C1016-55BIN Виробник : ALLIANCE MEMORY AS6C1016.PDF Alliance_Selection_Guide _Print2025.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
Operating voltage: 2.7...5.5V
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.