AS6C1616A-55BINTR ALLIANCE MEMORY
Виробник: ALLIANCE MEMORYCategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Memory: 16Mb SRAM
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AS6C1616A-55BINTR ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48, Mounting: SMD, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: asynchronous; SRAM, Memory organisation: 1Mx16bit, Access time: 55ns, Integrated circuit features: LPC, Case: TFBGA48, Kind of interface: parallel, Memory: 16Mb SRAM, Operating voltage: 2.7...3.6V, кількість в упаковці: 1000 шт.
Інші пропозиції AS6C1616A-55BINTR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AS6C1616A-55BINTR | Виробник : Alliance Memory, Inc. |
Description: IC SRAM 16M LP 1024X16 48TFBGA |
товару немає в наявності |
|
 |
AS6C1616A-55BINTR | Виробник : Alliance Memory |
SRAM 16M, 2.7-3.6V, 55ns 1024K x 16 Asyn SRAM |
товару немає в наявності |
|
| AS6C1616A-55BINTR | Виробник : ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48 Mounting: SMD Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 1Mx16bit Access time: 55ns Integrated circuit features: LPC Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Memory: 16Mb SRAM Operating voltage: 2.7...3.6V |
товару немає в наявності |