
AU2PKHM3_A/H Vishay General Semiconductor
на замовлення 2159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 79.82 грн |
10+ | 64.47 грн |
100+ | 43.55 грн |
500+ | 36.93 грн |
1000+ | 30.09 грн |
1500+ | 28.25 грн |
3000+ | 26.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AU2PKHM3_A/H Vishay General Semiconductor
Description: DIODE AVALANCHE 800V 1.3A TO277A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Avalanche, Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1.3A, Supplier Device Package: TO-277A (SMPC), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AU2PKHM3_A/H
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
AU2PKHM3_A/H | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
AU2PKHM3_A/H | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.3A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |