AUIRFS8403TRL Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 123A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 193+ | 110.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRFS8403TRL Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 123A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 99W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AUIRFS8403TRL за ціною від 110.67 грн до 110.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AUIRFS8403TRL | Виробник : International Rectifier |
Description: AUIRFS8403 - 20V-40V N-CHANNEL A Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
AUIRFS8403TRL | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 2.6mOhm 123A |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
| AUIRFS8403TRL | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
 |
AUIRFS8403TRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
AUIRFS8403TRL | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 123A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |