B1D06065KS

B1D06065KS BASiC SEMICONDUCTOR


B1D06065KS.pdf Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220ISO; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 45A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 30W
на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.01 грн
5+86.93 грн
14+66.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис B1D06065KS BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220ISO; Ir: 20uA, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 6A, Semiconductor structure: single diode, Case: TO220ISO, Max. forward voltage: 1.75V, Max. forward impulse current: 45A, Leakage current: 20µA, Kind of package: tube, Power dissipation: 30W, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції B1D06065KS за ціною від 75.29 грн до 126.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
B1D06065KS B1D06065KS Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR B1D06065KS.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220ISO; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 45A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 30W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.01 грн
5+108.33 грн
14+79.82 грн
37+75.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.