B1D08065K

B1D08065K BASiC SEMICONDUCTOR


B1D08065K.pdf Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 56W
на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.91 грн
5+97.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис B1D08065K BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 10uA, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 8A, Semiconductor structure: single diode, Case: TO220-2, Max. forward voltage: 1.75V, Max. forward impulse current: 60A, Leakage current: 10µA, Kind of package: tube, Power dissipation: 56W, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції B1D08065K за ціною від 94.49 грн до 140.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
B1D08065K B1D08065K Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR B1D08065K.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 56W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.29 грн
5+120.99 грн
11+102.75 грн
29+97.24 грн
100+94.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.