B1D08065K BASiC SEMICONDUCTOR
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 56W; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 56W
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 56W; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 56W
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 106.35 грн |
5+ | 88.32 грн |
11+ | 77.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B1D08065K BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 56W; TO220-2; tube, Type of diode: Schottky rectifying, Case: TO220-2, Mounting: THT, Kind of package: tube, Power dissipation: 56W, Max. forward impulse current: 60A, Leakage current: 10µA, Technology: SiC, Max. forward voltage: 1.75V, Load current: 8A, Semiconductor structure: single diode, Max. off-state voltage: 650V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції B1D08065K за ціною від 84.29 грн до 127.62 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
B1D08065K | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 56W; TO220-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Case: TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 56W Max. forward impulse current: 60A Leakage current: 10µA Technology: SiC Max. forward voltage: 1.75V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|