B1D08065KS BASiC SEMICONDUCTOR
Виробник: BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.73V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 32W
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 132.87 грн |
| 5+ | 111.12 грн |
| 11+ | 85.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B1D08065KS BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 8A, Semiconductor structure: single diode, Case: TO220ISO, Max. forward voltage: 1.73V, Max. forward impulse current: 64A, Leakage current: 10µA, Kind of package: tube, Power dissipation: 32W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції B1D08065KS за ціною від 97.48 грн до 159.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
B1D08065KS | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220ISO Max. forward voltage: 1.73V Max. forward impulse current: 64A Leakage current: 10µA Kind of package: tube Power dissipation: 32W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 21 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|