B1D10065H BASiC SEMICONDUCTOR
Виробник: BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 68W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 165.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B1D10065H BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; Ir: 20uA, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 10A, Semiconductor structure: single diode, Case: TO247-2, Max. forward voltage: 1.75V, Max. forward impulse current: 75A, Leakage current: 20µA, Kind of package: tube, Power dissipation: 68W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції B1D10065H за ціною від 120.92 грн до 198.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
B1D10065H | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; Ir: 20uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 1.75V Max. forward impulse current: 75A Leakage current: 20µA Kind of package: tube Power dissipation: 68W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|