B1D10065H BASiC SEMICONDUCTOR


B1D10065H.pdf
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; Ir: 20uA
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 20µA
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 75A
Power dissipation: 68W
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+158.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис B1D10065H BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; Ir: 20uA, Case: TO247-2, Mounting: THT, Kind of package: tube, Leakage current: 20µA, Max. forward voltage: 1.75V, Load current: 10A, Max. forward impulse current: 75A, Power dissipation: 68W, Max. off-state voltage: 650V, Semiconductor structure: single diode, Technology: SiC, Type of diode: Schottky rectifying.