B1D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR
Виробник: BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 20uA
Case: TO220ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 38W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 20µA
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 142.40 грн |
| 5+ | 119.08 грн |
| 9+ | 105.94 грн |
| 24+ | 100.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B1D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 20uA, Case: TO220ISO, Mounting: THT, Kind of package: tube, Power dissipation: 38W, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Max. off-state voltage: 650V, Max. forward voltage: 1.75V, Load current: 10A, Semiconductor structure: single diode, Max. forward impulse current: 75A, Leakage current: 20µA, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції B1D10065KS за ціною від 115.99 грн до 170.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
B1D10065KS | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 20uA Case: TO220ISO Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 38W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.75V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 75A Leakage current: 20µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 41 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|