B1D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR
Виробник: BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 20uA
Case: TO220ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 20µA
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 75A
Power dissipation: 38W
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 145.40 грн |
| 5+ | 121.59 грн |
| 9+ | 108.96 грн |
| 24+ | 102.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B1D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 20uA, Case: TO220ISO, Mounting: THT, Kind of package: tube, Leakage current: 20µA, Max. forward voltage: 1.75V, Load current: 10A, Max. forward impulse current: 75A, Power dissipation: 38W, Max. off-state voltage: 650V, Semiconductor structure: single diode, Technology: SiC, Type of diode: Schottky rectifying, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції B1D10065KS за ціною від 118.43 грн до 174.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
B1D10065KS | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 20uA Case: TO220ISO Mounting: THT Kind of package: tube Leakage current: 20µA Max. forward voltage: 1.75V Load current: 10A Max. forward impulse current: 75A Power dissipation: 38W Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: single diode Technology: SiC Type of diode: Schottky rectifying кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 31 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|