B1D15065K

B1D15065K BASiC SEMICONDUCTOR


B1D15065K.pdf Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 10µA
Load current: 15A
Power dissipation: 84W
Max. forward impulse current: 112A
Max. forward voltage: 1.75V
Max. off-state voltage: 650V
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+211.62 грн
5+176.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис B1D15065K BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA, Mounting: THT, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Leakage current: 10µA, Load current: 15A, Power dissipation: 84W, Max. forward impulse current: 112A, Max. forward voltage: 1.75V, Max. off-state voltage: 650V, Case: TO220-2, Kind of package: tube, Semiconductor structure: single diode, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції B1D15065K за ціною від 193.11 грн до 253.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
B1D15065K B1D15065K Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR B1D15065K.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 10µA
Load current: 15A
Power dissipation: 84W
Max. forward impulse current: 112A
Max. forward voltage: 1.75V
Max. off-state voltage: 650V
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.95 грн
5+219.69 грн
25+193.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.