
B1D30065TF BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO3PF; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO3PF
Max. forward voltage: 1.62V
Max. forward impulse current: 110A
Leakage current: 30µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 31W
Max. load current: 30A
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 486.57 грн |
3+ | 336.38 грн |
8+ | 318.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B1D30065TF BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO3PF; Ir: 30uA, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 15A x2, Semiconductor structure: common cathode; double, Case: TO3PF, Max. forward voltage: 1.62V, Max. forward impulse current: 110A, Leakage current: 30µA, Kind of package: tube, Power dissipation: 31W, Max. load current: 30A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції B1D30065TF за ціною від 366.95 грн до 583.88 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
B1D30065TF | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO3PF; Ir: 30uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 15A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO3PF Max. forward voltage: 1.62V Max. forward impulse current: 110A Leakage current: 30µA Kind of package: tube Power dissipation: 31W Max. load current: 30A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|