
B1D40065H BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; Ir: 20uA
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 20µA
Max. forward voltage: 1.62V
Load current: 40A
Max. forward impulse current: 310A
Power dissipation: 185W
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 561.19 грн |
3+ | 435.05 грн |
6+ | 411.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B1D40065H BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; Ir: 20uA, Case: TO247-2, Mounting: THT, Kind of package: tube, Leakage current: 20µA, Max. forward voltage: 1.62V, Load current: 40A, Max. forward impulse current: 310A, Power dissipation: 185W, Max. off-state voltage: 650V, Semiconductor structure: single diode, Technology: SiC, Type of diode: Schottky rectifying, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції B1D40065H за ціною від 475.63 грн до 673.43 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
B1D40065H | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; Ir: 20uA Case: TO247-2 Mounting: THT Kind of package: tube Leakage current: 20µA Max. forward voltage: 1.62V Load current: 40A Max. forward impulse current: 310A Power dissipation: 185W Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: single diode Technology: SiC Type of diode: Schottky rectifying кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|