B1D40065H

B1D40065H BASiC SEMICONDUCTOR


B1D40065H.pdf Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; Ir: 20uA
Power dissipation: 185W
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.62V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 310A
Leakage current: 20µA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+645.46 грн
3+438.82 грн
6+415.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис B1D40065H BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; Ir: 20uA, Power dissipation: 185W, Case: TO247-2, Mounting: THT, Kind of package: tube, Max. off-state voltage: 650V, Max. forward voltage: 1.62V, Load current: 40A, Semiconductor structure: single diode, Max. forward impulse current: 310A, Leakage current: 20µA, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції B1D40065H за ціною від 477.96 грн до 774.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
B1D40065H B1D40065H Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR B1D40065H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; Ir: 20uA
Power dissipation: 185W
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.62V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 310A
Leakage current: 20µA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+774.56 грн
3+546.83 грн
6+498.14 грн
150+479.79 грн
600+477.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.