
B1D40065H BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.62V
Max. forward impulse current: 310A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 185W
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 550.95 грн |
3+ | 425.55 грн |
6+ | 402.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B1D40065H BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; Ir: 20uA, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 40A, Semiconductor structure: single diode, Case: TO247-2, Max. forward voltage: 1.62V, Max. forward impulse current: 310A, Leakage current: 20µA, Kind of package: tube, Power dissipation: 185W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції B1D40065H за ціною від 464.16 грн до 661.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
B1D40065H | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; Ir: 20uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 40A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 1.62V Max. forward impulse current: 310A Leakage current: 20µA Kind of package: tube Power dissipation: 185W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|