
B1D40065H BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; Ir: 20uA
Power dissipation: 185W
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.62V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 310A
Leakage current: 20µA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 645.46 грн |
3+ | 438.82 грн |
6+ | 415.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B1D40065H BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; Ir: 20uA, Power dissipation: 185W, Case: TO247-2, Mounting: THT, Kind of package: tube, Max. off-state voltage: 650V, Max. forward voltage: 1.62V, Load current: 40A, Semiconductor structure: single diode, Max. forward impulse current: 310A, Leakage current: 20µA, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції B1D40065H за ціною від 477.96 грн до 774.56 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
B1D40065H | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; Ir: 20uA Power dissipation: 185W Case: TO247-2 Mounting: THT Kind of package: tube Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.62V Load current: 40A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 310A Leakage current: 20µA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|