B1M080120HC BASiC SEMICONDUCTOR
Виробник: BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 80mΩ
Drain current: 27A
Power dissipation: 241W
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 149nC
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1156.40 грн |
| 3+ | 1015.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B1M080120HC BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Kind of package: tube, On-state resistance: 80mΩ, Drain current: 27A, Power dissipation: 241W, Pulsed drain current: 80A, Drain-source voltage: 1.2kV, Kind of channel: enhancement, Technology: SiC, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate-source voltage: -5...20V, Gate charge: 149nC, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції B1M080120HC за ціною від 1171.07 грн до 1387.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
B1M080120HC | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube On-state resistance: 80mΩ Drain current: 27A Power dissipation: 241W Pulsed drain current: 80A Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Technology: SiC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 149nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|