B1M080120HC BASiC SEMICONDUCTOR
Виробник: BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 27A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 241W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 149nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 1.2kV
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1133.84 грн |
| 3+ | 995.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B1M080120HC BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Kind of package: tube, Drain current: 27A, On-state resistance: 80mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 241W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 149nC, Technology: SiC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: -5...20V, Pulsed drain current: 80A, Drain-source voltage: 1.2kV, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції B1M080120HC за ціною від 1149.67 грн до 1360.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
B1M080120HC | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Drain current: 27A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 241W Polarisation: unipolar Gate charge: 149nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 80A Drain-source voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|