B2D02120K1 BASiC SEMICONDUCTOR
Виробник: BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 20A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 35W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B2D02120K1 BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; Ir: 20uA, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 1.2kV, Load current: 2A, Semiconductor structure: single diode, Case: TO220-2, Max. forward voltage: 1.9V, Max. forward impulse current: 20A, Leakage current: 20µA, Power dissipation: 35W, Kind of package: tube, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції B2D02120K1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
B2D02120K1 | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; Ir: 20uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.9V Max. forward impulse current: 20A Leakage current: 20µA Power dissipation: 35W Kind of package: tube |
товару немає в наявності |