B2D04065E1 BASiC SEMICONDUCTOR
Виробник: BASiC SEMICONDUCTORCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 31A
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 39W
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 64.76 грн |
| 8+ | 53.45 грн |
| 25+ | 47.60 грн |
| 100+ | 42.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B2D04065E1 BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: SMD, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 4A, Semiconductor structure: single diode, Case: TO252-2, Max. forward voltage: 1.6V, Max. forward impulse current: 31A, Leakage current: 20µA, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 39W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції B2D04065E1 за ціною від 51.11 грн до 66.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
B2D04065E1 | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Case: TO252-2 Max. forward voltage: 1.6V Max. forward impulse current: 31A Leakage current: 20µA Kind of package: reel; tape Power dissipation: 39W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2451 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|