B2D04065K1 BASiC SEMICONDUCTOR
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; 39W; TO220-2; tube
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 34A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 39W
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; 39W; TO220-2; tube
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 34A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 39W
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 61.26 грн |
8+ | 48.4 грн |
23+ | 35.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B2D04065K1 BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; 39W; TO220-2; tube, Mounting: THT, Case: TO220-2, Kind of package: tube, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Max. off-state voltage: 650V, Max. forward voltage: 1.6V, Load current: 4A, Semiconductor structure: single diode, Max. forward impulse current: 34A, Leakage current: 20µA, Power dissipation: 39W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції B2D04065K1 за ціною від 40.06 грн до 73.51 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
B2D04065K1 | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; 39W; TO220-2; tube Mounting: THT Case: TO220-2 Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.6V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 34A Leakage current: 20µA Power dissipation: 39W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|