
B2D04065K1 BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.6V
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 34A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 39W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 77.03 грн |
7+ | 61.31 грн |
20+ | 47.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B2D04065K1 BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.6V, Case: TO220-2, Max. off-state voltage: 650V, Max. forward voltage: 1.6V, Load current: 4A, Semiconductor structure: single diode, Max. forward impulse current: 34A, Leakage current: 20µA, Power dissipation: 39W, Kind of package: tube, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції B2D04065K1 за ціною від 53.77 грн до 92.44 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
B2D04065K1 | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.6V Case: TO220-2 Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.6V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 34A Leakage current: 20µA Power dissipation: 39W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|