
B2D04065K1 BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.6V
Case: TO220-2
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 39W
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 34A
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 78.23 грн |
7+ | 61.59 грн |
20+ | 47.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B2D04065K1 BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.6V, Case: TO220-2, Mounting: THT, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Semiconductor structure: single diode, Leakage current: 20µA, Power dissipation: 39W, Max. forward voltage: 1.6V, Load current: 4A, Max. forward impulse current: 34A, Max. off-state voltage: 650V, Kind of package: tube, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції B2D04065K1 за ціною від 54.01 грн до 93.87 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
B2D04065K1 | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.6V Case: TO220-2 Mounting: THT Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Leakage current: 20µA Power dissipation: 39W Max. forward voltage: 1.6V Load current: 4A Max. forward impulse current: 34A Max. off-state voltage: 650V Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|