B2D08065KS BASiC SEMICONDUCTOR
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 37W; TO220ISO; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 37W
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.54V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 37W; TO220ISO; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 37W
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.54V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 120.58 грн |
5+ | 100.84 грн |
11+ | 77.19 грн |
29+ | 73.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B2D08065KS BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 37W; TO220ISO; tube, Type of diode: Schottky rectifying, Case: TO220ISO, Mounting: THT, Kind of package: tube, Power dissipation: 37W, Max. forward impulse current: 64A, Leakage current: 10µA, Technology: SiC, Max. forward voltage: 1.54V, Load current: 8A, Semiconductor structure: single diode, Max. off-state voltage: 650V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції B2D08065KS за ціною від 87.62 грн до 144.69 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
B2D08065KS | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 37W; TO220ISO; tube Type of diode: Schottky rectifying Case: TO220ISO Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 37W Max. forward impulse current: 64A Leakage current: 10µA Technology: SiC Max. forward voltage: 1.54V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|