
B2D10065K1 BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 20uA
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 85A
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 10A
Power dissipation: 62W
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 152.78 грн |
5+ | 127.52 грн |
10+ | 97.24 грн |
27+ | 92.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B2D10065K1 BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 20uA, Mounting: THT, Semiconductor structure: single diode, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Case: TO220-2, Leakage current: 20µA, Max. forward impulse current: 85A, Max. forward voltage: 1.7V, Load current: 10A, Power dissipation: 62W, Max. off-state voltage: 650V, Kind of package: tube, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції B2D10065K1 за ціною від 110.95 грн до 183.34 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
B2D10065K1 | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 20uA Mounting: THT Semiconductor structure: single diode Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO220-2 Leakage current: 20µA Max. forward impulse current: 85A Max. forward voltage: 1.7V Load current: 10A Power dissipation: 62W Max. off-state voltage: 650V Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 252 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|