
B2D10065K1 BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 62W
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 148.59 грн |
5+ | 124.02 грн |
10+ | 95.34 грн |
25+ | 94.57 грн |
27+ | 89.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B2D10065K1 BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 20uA, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 10A, Semiconductor structure: single diode, Case: TO220-2, Max. forward voltage: 1.7V, Max. forward impulse current: 85A, Leakage current: 20µA, Kind of package: tube, Power dissipation: 62W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції B2D10065K1 за ціною від 107.90 грн до 178.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
B2D10065K1 | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 20uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 85A Leakage current: 20µA Kind of package: tube Power dissipation: 62W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 105 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|