
B2D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 10uA
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220ISO
Leakage current: 10µA
Max. forward impulse current: 85A
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 10A
Power dissipation: 47W
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 174.24 грн |
5+ | 145.86 грн |
9+ | 111.58 грн |
23+ | 106.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B2D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 10uA, Mounting: THT, Semiconductor structure: single diode, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Case: TO220ISO, Leakage current: 10µA, Max. forward impulse current: 85A, Max. forward voltage: 1.7V, Load current: 10A, Power dissipation: 47W, Max. off-state voltage: 650V, Kind of package: tube, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції B2D10065KS за ціною від 127.20 грн до 209.09 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
B2D10065KS | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 10uA Mounting: THT Semiconductor structure: single diode Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO220ISO Leakage current: 10µA Max. forward impulse current: 85A Max. forward voltage: 1.7V Load current: 10A Power dissipation: 47W Max. off-state voltage: 650V Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 63 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|