
B2D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 47W
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 169.05 грн |
5+ | 141.51 грн |
9+ | 108.26 грн |
23+ | 102.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B2D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 10uA, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 10A, Semiconductor structure: single diode, Case: TO220ISO, Max. forward voltage: 1.7V, Max. forward impulse current: 85A, Leakage current: 10µA, Kind of package: tube, Power dissipation: 47W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції B2D10065KS за ціною від 123.41 грн до 202.86 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
B2D10065KS | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 10uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO220ISO Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 85A Leakage current: 10µA Kind of package: tube Power dissipation: 47W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 63 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|