
B2D10120H1 BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ufmax: 2V
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-2
Leakage current: 30µA
Max. forward impulse current: 90A
Max. forward voltage: 2V
Load current: 10A
Power dissipation: 62W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 221.39 грн |
5+ | 185.88 грн |
7+ | 141.78 грн |
18+ | 133.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B2D10120H1 BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ufmax: 2V, Mounting: THT, Semiconductor structure: single diode, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Case: TO247-2, Leakage current: 30µA, Max. forward impulse current: 90A, Max. forward voltage: 2V, Load current: 10A, Power dissipation: 62W, Max. off-state voltage: 1.2kV, Kind of package: tube, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції B2D10120H1 за ціною від 158.79 грн до 265.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
B2D10120H1 | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ufmax: 2V Mounting: THT Semiconductor structure: single diode Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO247-2 Leakage current: 30µA Max. forward impulse current: 90A Max. forward voltage: 2V Load current: 10A Power dissipation: 62W Max. off-state voltage: 1.2kV Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 39 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|