
B2D10120H1 BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 90A
Leakage current: 30µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 62W
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 221.47 грн |
5+ | 185.95 грн |
7+ | 141.83 грн |
18+ | 133.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B2D10120H1 BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ufmax: 2V, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 1.2kV, Load current: 10A, Semiconductor structure: single diode, Case: TO247-2, Max. forward voltage: 2V, Max. forward impulse current: 90A, Leakage current: 30µA, Kind of package: tube, Power dissipation: 62W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції B2D10120H1 за ціною від 158.85 грн до 265.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
B2D10120H1 | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ufmax: 2V Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 2V Max. forward impulse current: 90A Leakage current: 30µA Kind of package: tube Power dissipation: 62W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 39 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|