Продукція > BASIC SEMICONDUCTOR > B2D10120HC1
B2D10120HC1

B2D10120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR

B2D10120HC1.pdf
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; Ir: 20uA
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 55A
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 64W
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A x2
Max. load current: 10A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Leakage current: 20µA
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+196.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис B2D10120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; Ir: 20uA, Mounting: THT, Max. forward impulse current: 55A, Max. forward voltage: 1.8V, Power dissipation: 64W, Technology: SiC, Max. off-state voltage: 1.2kV, Load current: 5A x2, Max. load current: 10A, Kind of package: tube, Semiconductor structure: common cathode; double, Leakage current: 20µA, Case: TO247-3, Type of diode: Schottky rectifying.