
B2D16120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
Max. forward voltage: 1.82V
Load current: 8A x2
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 80A
Power dissipation: 74W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: common cathode; double
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 323.59 грн |
5+ | 207.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B2D16120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; Ir: 30uA, Case: TO247-3, Mounting: THT, Kind of package: tube, Leakage current: 30µA, Max. forward voltage: 1.82V, Load current: 8A x2, Max. load current: 16A, Max. forward impulse current: 80A, Power dissipation: 74W, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: common cathode; double, Technology: SiC, Type of diode: Schottky rectifying, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції B2D16120HC1 за ціною від 231.46 грн до 388.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
B2D16120HC1 | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; Ir: 30uA Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Leakage current: 30µA Max. forward voltage: 1.82V Load current: 8A x2 Max. load current: 16A Max. forward impulse current: 80A Power dissipation: 74W Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: common cathode; double Technology: SiC Type of diode: Schottky rectifying кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|