
B2D16120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 16A
Max. forward voltage: 1.82V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 80A
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 74W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 319.13 грн |
5+ | 204.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B2D16120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; Ir: 30uA, Max. off-state voltage: 1.2kV, Max. load current: 16A, Max. forward voltage: 1.82V, Load current: 8A x2, Semiconductor structure: common cathode; double, Max. forward impulse current: 80A, Leakage current: 30µA, Power dissipation: 74W, Kind of package: tube, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Case: TO247-3, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції B2D16120HC1 за ціною від 228.27 грн до 382.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
B2D16120HC1 | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; Ir: 30uA Max. off-state voltage: 1.2kV Max. load current: 16A Max. forward voltage: 1.82V Load current: 8A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward impulse current: 80A Leakage current: 30µA Power dissipation: 74W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|