
B2D20065H1 BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 146A
Leakage current: 15µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 130W
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 333.48 грн |
3+ | 278.14 грн |
5+ | 213.53 грн |
12+ | 201.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B2D20065H1 BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 20A, Semiconductor structure: single diode, Case: TO247-2, Max. forward voltage: 1.7V, Max. forward impulse current: 146A, Leakage current: 15µA, Kind of package: tube, Power dissipation: 130W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції B2D20065H1 за ціною від 242.05 грн до 400.17 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
B2D20065H1 | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 146A Leakage current: 15µA Kind of package: tube Power dissipation: 130W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|