B2D20065H1

B2D20065H1 BASiC SEMICONDUCTOR


B2D20065H1.pdf Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 146A
Leakage current: 15µA
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+392.73 грн
3+340.16 грн
5+251.47 грн
12+237.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис B2D20065H1 BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Max. forward voltage: 1.7V, Load current: 20A, Semiconductor structure: single diode, Max. forward impulse current: 146A, Leakage current: 15µA, Power dissipation: 130W, Kind of package: tube, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Case: TO247-2, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції B2D20065H1 за ціною від 416.38 грн до 416.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
B2D20065H1 B2D20065H1 Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065H1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 146A
Leakage current: 15µA
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-2
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+416.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.