
B2D20065H1 BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 146A
Leakage current: 15µA
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 392.73 грн |
3+ | 340.16 грн |
5+ | 251.47 грн |
12+ | 237.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B2D20065H1 BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Max. forward voltage: 1.7V, Load current: 20A, Semiconductor structure: single diode, Max. forward impulse current: 146A, Leakage current: 15µA, Power dissipation: 130W, Kind of package: tube, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Case: TO247-2, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції B2D20065H1 за ціною від 416.38 грн до 416.38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
B2D20065H1 | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.7V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 146A Leakage current: 15µA Power dissipation: 130W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO247-2 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|