
B2D20065TF BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO3PF; Ir: 20uA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO3PF
Leakage current: 20µA
Max. forward voltage: 1.62V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Power dissipation: 33W
Max. forward impulse current: 70A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 240.99 грн |
5+ | 198.56 грн |
30+ | 196.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B2D20065TF BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO3PF; Ir: 20uA, Mounting: THT, Kind of package: tube, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Case: TO3PF, Leakage current: 20µA, Max. forward voltage: 1.62V, Load current: 10A x2, Max. load current: 20A, Power dissipation: 33W, Max. forward impulse current: 70A, Max. off-state voltage: 650V, Semiconductor structure: common cathode; double, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції B2D20065TF за ціною від 236.38 грн до 289.18 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
B2D20065TF | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO3PF; Ir: 20uA Mounting: THT Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO3PF Leakage current: 20µA Max. forward voltage: 1.62V Load current: 10A x2 Max. load current: 20A Power dissipation: 33W Max. forward impulse current: 70A Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: common cathode; double кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|