B2D20065TF BASiC SEMICONDUCTOR


B2D20065TF.pdf
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO3PF; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO3PF
Max. forward voltage: 1.62V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 70A
Kind of package: tube
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 33W
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+252.41 грн
5+207.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис B2D20065TF BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO3PF; Ir: 20uA, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 10A x2, Semiconductor structure: common cathode; double, Case: TO3PF, Max. forward voltage: 1.62V, Max. load current: 20A, Max. forward impulse current: 70A, Kind of package: tube, Leakage current: 20µA, Power dissipation: 33W.