
B2D20065TF BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO3PF; Ir: 20uA
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 20µA
Max. forward voltage: 1.62V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 70A
Power dissipation: 33W
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: common cathode; double
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 243.77 грн |
5+ | 200.85 грн |
30+ | 200.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B2D20065TF BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO3PF; Ir: 20uA, Case: TO3PF, Mounting: THT, Kind of package: tube, Leakage current: 20µA, Max. forward voltage: 1.62V, Load current: 10A x2, Max. load current: 20A, Max. forward impulse current: 70A, Power dissipation: 33W, Max. off-state voltage: 650V, Semiconductor structure: common cathode; double, Technology: SiC, Type of diode: Schottky rectifying, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції B2D20065TF за ціною від 240.06 грн до 292.52 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
B2D20065TF | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO3PF; Ir: 20uA Case: TO3PF Mounting: THT Kind of package: tube Leakage current: 20µA Max. forward voltage: 1.62V Load current: 10A x2 Max. load current: 20A Max. forward impulse current: 70A Power dissipation: 33W Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: common cathode; double Technology: SiC Type of diode: Schottky rectifying кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|