B2D20120H1 BASiC SEMICONDUCTOR
Виробник: BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.78V
Max. forward impulse current: 190A
Kind of package: tube
Leakage current: 40µA
Power dissipation: 159W
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 419.72 грн |
| 4+ | 274.18 грн |
| 10+ | 259.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B2D20120H1 BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 1.2kV, Load current: 20A, Semiconductor structure: single diode, Case: TO247-2, Max. forward voltage: 1.78V, Max. forward impulse current: 190A, Kind of package: tube, Leakage current: 40µA, Power dissipation: 159W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції B2D20120H1 за ціною від 300.32 грн до 503.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
B2D20120H1 | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 1.78V Max. forward impulse current: 190A Kind of package: tube Leakage current: 40µA Power dissipation: 159W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 31 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|