B2D20120H1 BASiC SEMICONDUCTOR
Виробник: BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 40µA
Max. forward voltage: 1.78V
Power dissipation: 159W
Load current: 20A
Max. forward impulse current: 190A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO247-2
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 393.95 грн |
| 5+ | 329.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B2D20120H1 BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA, Mounting: THT, Kind of package: tube, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Semiconductor structure: single diode, Leakage current: 40µA, Max. forward voltage: 1.78V, Power dissipation: 159W, Load current: 20A, Max. forward impulse current: 190A, Max. off-state voltage: 1.2kV, Case: TO247-2, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції B2D20120H1 за ціною від 315.70 грн до 472.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
B2D20120H1 | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA Mounting: THT Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Leakage current: 40µA Max. forward voltage: 1.78V Power dissipation: 159W Load current: 20A Max. forward impulse current: 190A Max. off-state voltage: 1.2kV Case: TO247-2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|