B2D20120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR
Виробник: BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; 60W; TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Power dissipation: 60W
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 90A
Max. forward voltage: 2V
Leakage current: 40µA
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 366.22 грн |
| 4+ | 244.79 грн |
| 10+ | 231.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B2D20120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; 60W; TO247-3, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 1.2kV, Load current: 10A x2, Max. load current: 20A, Power dissipation: 60W, Semiconductor structure: common cathode; double, Case: TO247-3, Kind of package: tube, Max. forward impulse current: 90A, Max. forward voltage: 2V, Leakage current: 40µA, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції B2D20120HC1 за ціною від 267.05 грн до 439.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
B2D20120HC1 | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; 60W; TO247-3 Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A x2 Max. load current: 20A Power dissipation: 60W Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 90A Max. forward voltage: 2V Leakage current: 40µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|