B2D20120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR
Виробник: BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 60W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 90A
Kind of package: tube
Leakage current: 40µA
Max. load current: 20A
Power dissipation: 60W
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 370.92 грн |
| 5+ | 309.82 грн |
| 30+ | 273.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B2D20120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 60W, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 1.2kV, Load current: 10A x2, Semiconductor structure: common cathode; double, Case: TO247-3, Max. forward voltage: 2V, Max. forward impulse current: 90A, Kind of package: tube, Leakage current: 40µA, Max. load current: 20A, Power dissipation: 60W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції B2D20120HC1 за ціною від 288.75 грн до 445.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
B2D20120HC1 | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 60W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. forward voltage: 2V Max. forward impulse current: 90A Kind of package: tube Leakage current: 40µA Max. load current: 20A Power dissipation: 60W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 41 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|