Продукція > BASIC SEMICONDUCTOR > B2D30120H1
B2D30120H1

B2D30120H1 BASiC SEMICONDUCTOR

B2D30120H1.pdf
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Power dissipation: 185W
Kind of package: tube
Leakage current: 38µA
Max. forward impulse current: 225A
Max. forward voltage: 2V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис B2D30120H1 BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; Ufmax: 2V, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 1.2kV, Load current: 30A, Semiconductor structure: single diode, Case: TO247-2, Power dissipation: 185W, Kind of package: tube, Leakage current: 38µA, Max. forward impulse current: 225A, Max. forward voltage: 2V.