B2D60120H1 BASiC SEMICONDUCTOR
Виробник: BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 60A; TO247-2; Ir: 70uA
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 361W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 340A
Leakage current: 70µA
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1000.05 грн |
| 3+ | 878.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B2D60120H1 BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 60A; TO247-2; Ir: 70uA, Case: TO247-2, Mounting: THT, Kind of package: tube, Power dissipation: 361W, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Max. off-state voltage: 1.2kV, Max. forward voltage: 2.1V, Load current: 60A, Semiconductor structure: single diode, Max. forward impulse current: 340A, Leakage current: 70µA, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції B2D60120H1 за ціною від 1094.42 грн до 1200.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
B2D60120H1 | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 60A; TO247-2; Ir: 70uA Case: TO247-2 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 361W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 2.1V Load current: 60A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 340A Leakage current: 70µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|