B2M032120Y

B2M032120Y BASiC SEMICONDUCTOR


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF84BCAD4237CA60D6&compId=B2M032120Y.pdf?ci_sign=1e5850dfec555eb311743ad15e73b4d072ace078 Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Case: TO247PLUS-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 50mΩ
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 190A
Power dissipation: 375W
Drain-source voltage: 1.2kV
Polarisation: unipolar
на замовлення 51 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1141.14 грн
3+957.47 грн
10+842.64 грн
30+786.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис B2M032120Y BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W, Case: TO247PLUS-4, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Gate-source voltage: -4...18V, Gate charge: 40nC, On-state resistance: 50mΩ, Drain current: 60A, Pulsed drain current: 190A, Power dissipation: 375W, Drain-source voltage: 1.2kV, Polarisation: unipolar, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції B2M032120Y за ціною від 943.69 грн до 1369.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
B2M032120Y B2M032120Y Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF84BCAD4237CA60D6&compId=B2M032120Y.pdf?ci_sign=1e5850dfec555eb311743ad15e73b4d072ace078 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Case: TO247PLUS-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 50mΩ
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 190A
Power dissipation: 375W
Drain-source voltage: 1.2kV
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1369.37 грн
3+1193.16 грн
10+1011.17 грн
30+943.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.