B2M032120Y

B2M032120Y BASiC SEMICONDUCTOR


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF84BCAD4237CA60D6&compId=B2M032120Y.pdf?ci_sign=1e5850dfec555eb311743ad15e73b4d072ace078 Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Case: TO247PLUS-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 60A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 40nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 190A
Drain-source voltage: 1.2kV
на замовлення 51 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1223.32 грн
2+835.14 грн
3+789.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис B2M032120Y BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W, Case: TO247PLUS-4, Mounting: THT, Kind of package: tube, Drain current: 60A, On-state resistance: 50mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 375W, Polarisation: unipolar, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Gate charge: 40nC, Technology: SiC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: -4...18V, Pulsed drain current: 190A, Drain-source voltage: 1.2kV, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції B2M032120Y за ціною від 947.42 грн до 1467.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
B2M032120Y B2M032120Y Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF84BCAD4237CA60D6&compId=B2M032120Y.pdf?ci_sign=1e5850dfec555eb311743ad15e73b4d072ace078 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Case: TO247PLUS-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 60A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 40nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 190A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1467.99 грн
2+1040.71 грн
3+947.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.