B2M065120H BASiC SEMICONDUCTOR
Виробник: BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Polarisation: unipolar
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 250W
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 703.17 грн |
| 2+ | 483.69 грн |
| 5+ | 457.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B2M065120H BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W, Polarisation: unipolar, Case: TO247-3, Kind of package: tube, Power dissipation: 250W, Gate charge: 60nC, Technology: SiC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: -4...18V, Pulsed drain current: 85A, Mounting: THT, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 33A, On-state resistance: 65mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції B2M065120H за ціною від 549.05 грн до 843.8 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
B2M065120H | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W Polarisation: unipolar Case: TO247-3 Kind of package: tube Power dissipation: 250W Gate charge: 60nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -4...18V Pulsed drain current: 85A Mounting: THT Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 33A On-state resistance: 65mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|