B2M065120H BASiC SEMICONDUCTOR
Виробник: BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 33A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Drain-source voltage: 1.2kV
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 780.51 грн |
| 2+ | 592.21 грн |
| 3+ | 591.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B2M065120H BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Kind of package: tube, Drain current: 33A, On-state resistance: 65mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 250W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 60nC, Technology: SiC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: -4...18V, Pulsed drain current: 85A, Drain-source voltage: 1.2kV, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції B2M065120H за ціною від 645.54 грн до 936.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
B2M065120H | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Drain current: 33A On-state resistance: 65mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Gate charge: 60nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...18V Pulsed drain current: 85A Drain-source voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|