B2M065120H BASiC SEMICONDUCTOR
Виробник: BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 65mΩ
Drain current: 33A
Power dissipation: 250W
Pulsed drain current: 85A
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 60nC
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 794.82 грн |
| 2+ | 610.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B2M065120H BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Kind of package: tube, On-state resistance: 65mΩ, Drain current: 33A, Power dissipation: 250W, Pulsed drain current: 85A, Drain-source voltage: 1.2kV, Kind of channel: enhancement, Technology: SiC, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate-source voltage: -4...18V, Gate charge: 60nC, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції B2M065120H за ціною від 665.67 грн до 953.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
B2M065120H | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube On-state resistance: 65mΩ Drain current: 33A Power dissipation: 250W Pulsed drain current: 85A Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Technology: SiC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 60nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|