B2M065120R

B2M065120R BASiC SEMICONDUCTOR


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECAFDA66F3E0D5&compId=B2M065120R.pdf?ci_sign=0e3de3a19474d2275883166be9641521f7f0b7d0 Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 150W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+764.40 грн
2+585.60 грн
3+584.82 грн
5+553.38 грн
30+531.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис B2M065120R BASiC SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 24A, Pulsed drain current: 85A, Power dissipation: 150W, Case: TO263-7, Gate-source voltage: -4...18V, On-state resistance: 65mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 60nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Technology: SiC, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції B2M065120R за ціною від 637.64 грн до 917.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
B2M065120R B2M065120R Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECAFDA66F3E0D5&compId=B2M065120R.pdf?ci_sign=0e3de3a19474d2275883166be9641521f7f0b7d0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 150W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+917.28 грн
2+729.75 грн
3+701.78 грн
5+664.05 грн
30+637.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.