B2M065120R

B2M065120R BASiC SEMICONDUCTOR


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECAFDA66F3E0D5&compId=B2M065120R.pdf?ci_sign=0e3de3a19474d2275883166be9641521f7f0b7d0 Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 24A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Mounting: SMD
Case: TO263-7
на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+774.67 грн
2+576.71 грн
5+544.93 грн
30+524.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис B2M065120R BASiC SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 24A, On-state resistance: 65mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 150W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Gate charge: 60nC, Technology: SiC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: -4...18V, Pulsed drain current: 85A, Mounting: SMD, Case: TO263-7, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції B2M065120R за ціною від 628.80 грн до 929.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
B2M065120R B2M065120R Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECAFDA66F3E0D5&compId=B2M065120R.pdf?ci_sign=0e3de3a19474d2275883166be9641521f7f0b7d0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 24A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Mounting: SMD
Case: TO263-7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+929.60 грн
2+718.67 грн
5+653.91 грн
30+628.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.