Продукція > BASIC SEMICONDUCTOR > B2M065120Z
B2M065120Z

B2M065120Z BASiC SEMICONDUCTOR

B2M065120Z.pdf
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 85A
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: tube
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+879.88 грн
3+735.33 грн
10+647.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис B2M065120Z BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 33A, Power dissipation: 250W, Case: TO247-4, Gate-source voltage: -4...18V, On-state resistance: 65mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 60nC, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 85A, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Kind of package: tube.