B2M065120Z

B2M065120Z BASiC SEMICONDUCTOR


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECA8988CE9C0D5&compId=B2M065120Z.pdf?ci_sign=8950aa569e86003000b6e12cf4d9a658bef3fd74 Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 33A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Drain-source voltage: 1.2kV
на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+745.45 грн
2+546.48 грн
5+516.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис B2M065120Z BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W, Case: TO247-4, Mounting: THT, Kind of package: tube, Drain current: 33A, On-state resistance: 65mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 250W, Polarisation: unipolar, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Gate charge: 60nC, Technology: SiC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: -4...18V, Pulsed drain current: 85A, Drain-source voltage: 1.2kV, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції B2M065120Z за ціною від 595.31 грн до 894.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
B2M065120Z B2M065120Z Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECA8988CE9C0D5&compId=B2M065120Z.pdf?ci_sign=8950aa569e86003000b6e12cf4d9a658bef3fd74 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 33A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+894.54 грн
2+680.99 грн
5+619.49 грн
30+595.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.