B2M065120Z

B2M065120Z BASiC SEMICONDUCTOR


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECA8988CE9C0D5&compId=B2M065120Z.pdf?ci_sign=8950aa569e86003000b6e12cf4d9a658bef3fd74 Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+736.47 грн
2+556.52 грн
5+526.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис B2M065120Z BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 33A, Pulsed drain current: 85A, Power dissipation: 250W, Case: TO247-4, Gate-source voltage: -4...18V, On-state resistance: 65mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 60nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Technology: SiC, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції B2M065120Z за ціною від 607.46 грн до 883.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
B2M065120Z B2M065120Z Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECA8988CE9C0D5&compId=B2M065120Z.pdf?ci_sign=8950aa569e86003000b6e12cf4d9a658bef3fd74 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+883.76 грн
2+693.51 грн
5+631.98 грн
30+607.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.