Продукція > BASIC SEMICONDUCTOR > B3M040120H
B3M040120H

B3M040120H BASiC SEMICONDUCTOR

B3M040120H.pdf
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 124A; 312W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 45A
Power dissipation: 312W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 124A
Kind of package: tube
на замовлення 113 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+187.53 грн
10+156.80 грн
30+138.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис B3M040120H BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 124A; 312W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 45A, Power dissipation: 312W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: -4...18V, On-state resistance: 40mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 85nC, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 124A, Kind of package: tube.