BAS16/DG215

BAS16/DG215 NXP USA Inc.


PHGL-S-A0000133609-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RECTIFIER DIODE, 0.215A, 100V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: 150°C
Current - Average Rectified (Io): 215mA
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package: TO-236AB
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
на замовлення 102000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BAS16/DG215 NXP USA Inc.

Description: RECTIFIER DIODE, 0.215A, 100V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Operating Temperature - Junction: 150°C, Current - Average Rectified (Io): 215mA, Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Supplier Device Package: TO-236AB, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Bulk.