Продукція > NXP SEMICONDUCTORS > BAS40-05/DG/B2,215

BAS40-05/DG/B2,215 NXP Semiconductors


PHGL-S-A0000721047-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: NXP Semiconductors
Old Part BAS40-05/DG/B2^NXP
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BAS40-05/DG/B2,215 NXP Semiconductors

Description: DIODE ARR SCHOTTKY 40V TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120mA (DC), Supplier Device Package: TO-236AB, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Grade: Automotive, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BAS40-05/DG/B2,215

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BAS40-05/DG/B2,215 BAS40-05/DG/B2,215 Виробник : Nexperia USA Inc. PHGL-S-A0000721047-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ARR SCHOTTKY 40V TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120mA (DC)
Supplier Device Package: TO-236AB
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.