Продукція > BC8 > BC856BE-6327

BC856BE-6327


Виробник:

на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC856BE-6327

Description: TRANS PNP 65V 0.1A PG-SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V, Power - Max: 330 mW.

Інші пропозиції BC856BE-6327

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC856BE6327 INFNS12319-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC 856B E6327 BC 856B E6327 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9 Description: TRANS PNP 65V 0.1A PG-SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 330 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC 856B E6327 BC 856B E6327 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9 Description: TRANS PNP 65V 0.1A PG-SOT23
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BE6327 BC856BE6327 Виробник : Infineon Technologies INFNS12319-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC 856B E6327 BC 856B E6327 Виробник : Infineon Technologies bc857series_bc858series_bc859series_bc860series-84816.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP 65 V 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.