BC817K-16WH6327 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Frequency - Transition: 170MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC817K-16WH6327 Infineon Technologies
Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1, Frequency - Transition: 170MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції BC817K-16WH6327
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BC 817K-16W H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF Transistor |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| BC 817K-16W H6327 |
Виробник: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF Transistor
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF Transistor
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.