Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BC856BWE6327

BC856BWE6327 Infineon Technologies

bc856series_bc857series_bc858series_bc859series_bc860series.pdf

Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BC856BWE6327 Infineon Technologies

Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V, Power - Max: 330 mW.

Інші пропозиції BC856BWE6327

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	BC856BWE6327	Виробник : Infineon Technologies	Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 330 mW	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.