BC857BWH6327 Infineon Technologies


INFNS16508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT323-3
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Bulk
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6512+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 6512 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC857BWH6327 Infineon Technologies

Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT323-3, Power - Max: 250 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції BC857BWH6327

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BC 857BW H6327 BC 857BW H6327 Infineon Technologies Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC 857BW H6327
Виробник: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.