Продукція > DIODES INCORPORATED > BC857CFSW-7

BC857CFSW-7 Diodes Incorporated

Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 45V 0.1A UDFN14123/SWP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: U-DFN1412-3/SWP (Type A)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 450 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+2.93 грн
10000+2.52 грн
15000+2.37 грн
25000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC857CFSW-7 Diodes Incorporated

Description: TRANS PNP 45V 0.1A UDFN14123/SWP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: U-DFN1412-3/SWP (Type A), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 450 mW.

Інші пропозиції BC857CFSW-7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC857CFSW-7 BC857CFSW-7 Виробник : Diodes Incorporated BC856AFSW_BC857CFSW-3484397.pdf Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.