BCP56 HXY MOSFET

Transistor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BCP56TA; BCP56,115; BCP56T1G; BCP56T3G; BCP56 HXY MOSFET TBCP56 HXY
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
250+ | 2.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCP56 HXY MOSFET
Description: TRANS NPN 80V 1.2A SOT-223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V, Supplier Device Package: SOT-223-4, Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції BCP56 за ціною від 2.98 грн до 3.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BCP56 | Виробник : JGSEMI |
![]() кількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
BCP56 | Виробник : Yangjie Electronic Technology |
![]() |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
BCP56 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
BCP56 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: SOT-223-4 Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
BCP56 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: SOT-223-4 Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W |
товару немає в наявності |
|||||
BCP56 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||
![]() |
BCP56 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
BCP 56 | Виробник : STMicroelectronics | IGBT & Power Bipolar |
товару немає в наявності |