BCP56-16TA Diodes
Код товару: 122662
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Diodes
Корпус: SOT-223
Гранична частота fT: 125 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 80 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 100 В
Струм колектора Ic, А: 1 А
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни BCP56-16TA Diodes
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BCP56-16 Код товару: 179118
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
NXP |
Транзистори > Біполярні NPNКорпус: SOT-223 Гранична частота fT: 125 МГц Напруга колектор-емітер Uceo, В: 80 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 100 В Струм колектора Ic, А: 1 А Монтаж: SMD |
у наявності: 31 шт
|
|
| BCP56-16 Код товару: 179118
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-223
Гранична частота fT: 125 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 80 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 100 В
Струм колектора Ic, А: 1 А
Монтаж: SMD
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-223
Гранична частота fT: 125 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 80 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 100 В
Струм колектора Ic, А: 1 А
Монтаж: SMD
у наявності: 31 шт
- 31 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 5.00 грн |
| 10+ | 4.50 грн |
| 100+ | 3.90 грн |
Інші пропозиції BCP56-16TA за ціною від 2.92 грн до 28.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BCP5616TA | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
BCP5616TA | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 301-310 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
BCP5616TA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 35 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BCP5616TA | Diodes INC. |
Транзистор NPN, Uceo, В = 80, hFE = 250, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50мА, 500мА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шткількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 3155 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| BCP5616TA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 28.48 грн |
| 18+ | 16.68 грн |
| 100+ | 10.50 грн |
| BCP5616TA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
| BCP5616TA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BCP5616TA |
![]() |
Виробник: Diodes INC.
Транзистор NPN, Uceo, В = 80, hFE = 250, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50мА, 500мА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
Транзистор NPN, Uceo, В = 80, hFE = 250, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50мА, 500мА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 3155 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 2.92 грн |



