Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BCR 119S H6327
BCR 119S H6327

BCR 119S H6327 Infineon Technologies

bcr119series.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.21 грн
12+27.80 грн
100+15.26 грн
500+9.61 грн
1000+8.57 грн
3000+7.18 грн
6000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCR 119S H6327 Infineon Technologies

Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Frequency - Transition: 150MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 250mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції BCR 119S H6327

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BCR119SH6327 Infineon Technologies INFNS11573-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR119SH6327 INFNS11573-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.