Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BCR 198W H6327

BCR 198W H6327 Infineon Technologies

Виробник: Infineon Technologies
Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR

на замовлення 6522 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
15+	24.44 грн
22+	16.56 грн
100+	9.14 грн
500+	5.64 грн
1000+	4.42 грн
3000+	3.89 грн
6000+	3.28 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BCR 198W H6327 Infineon Technologies

Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 190 MHz, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

Інші пропозиції BCR 198W H6327

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	BCR198WH6327	Виробник : Infineon Technologies	Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 190 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.