BCR108W E6327 Infineon
Виробник: Infineon
NPN 100mA 50V 250mW 170MHz w/ res. 2.2k+47k BCR108W TBCR108w
кількість в упаковці: 500 шт
NPN 100mA 50V 250mW 170MHz w/ res. 2.2k+47k BCR108W TBCR108w
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 0.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR108W E6327 Infineon
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 170 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.
Інші пропозиції BCR108W E6327
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
BCR108WE6327 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
BCR108WE6327 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
товару немає в наявності |