Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BCX42E6327
BCX42E6327

BCX42E6327 INFINEON TECHNOLOGIES

BCX42E6327.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 125V; 0.8A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 125V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 150MHz
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+23.50 грн
29+14.52 грн
100+8.98 грн
250+7.47 грн
500+6.46 грн
1000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCX42E6327 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V, Power - Max: 330 mW.

Інші пропозиції BCX42E6327 за ціною від 13.18 грн до 13.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BCX 42 E6327 Виробник : Infineon Technologies BCX42_Infineon.pdf Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,33, Uceo, В = 125, Ic = 800 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 150, hFE = 40 @ 200 мA, 1 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,9 @ 30 мA, 300 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 О
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BCX42E6327 Виробник : Infineon Technologies INFNS17215-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V
Power - Max: 330 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX 42 E6327 BCX 42 E6327 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BCX42-DS-v01_01-en.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Silicn AF/Switch TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.