BCX 52 E6327

BCX 52 E6327 Infineon Technologies


bcx51_bcx52_bcx53-85752.pdf Виробник: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR
на замовлення 5250 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCX 52 E6327 Infineon Technologies

Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 125MHz, Supplier Device Package: PG-SOT89-4-2, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 2 W.

Інші пропозиції BCX 52 E6327

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BCX52E6327 BCX52E6327 Виробник : Infineon Technologies bcx51_bcx52_bcx53.pdf Trans GP BJT PNP 60V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
BCX52E6327 BCX52E6327 Виробник : Infineon Technologies INFNS12465-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PG-SOT89-4-2
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній